Приклад дизайну від Renesas приймає на 46% менше площі друкованої плати, ніж у попередній повністю кремнієвій версії, зазначили у GaN Systems, частково завдяки перемиканню на 500 кГц, що дозволило перейти на менші котушки індуктивності 1,3 мкГн.
“Поєднання GaN з автоматичним падінням фази забезпечує ефективне перетворення потужності навіть при низьких навантаженнях, перевищуючи 94% ефективності в діапазоні навантажень від 400 Вт до 3 кВт, ” відповідно до GaN Systems.
Іншими компонентами конструкції є шестифазний ШІМ-контролер ISL78226, призначений спеціально для двонаправлених перетворювачів 48-12 В, і кілька напівмостових чіпів приводу: або піковий 2A ISL78420, або аналогічний піковий джерело 3A 4A. ISL78444 – обидва мають єдиний трирівневий ШІМ-вхід, який керує обома внутрішніми драйверами воріт, і до цього ‘444 додає адаптивне керування мертвим часом.
Источник: electronicsweekly.com
