Порогова напруга затвор-джерело становить 3±0,5 В .
“Завдяки низькій пороговій напрузі та допуску уникають роботи в лінійному режимі, але дозволяють знизити напругу керування та зменшити втрати на холостому ході,” за даними компанії. “Завдяки об’єднанню швидкого корпусного діода з низьким зарядом зворотного відновлення вони забезпечують жорстку комутаційну міцність і надійність.”
Також сказано, що заряд затвора на 60% кращий, ніж попередній 900 В C3. сімейство MOSFET, сприяючи зниженню температури MOSFET на 4K і підвищенню ефективності PFC на 0,2% при відповідності ефективності LLC.
Источник: electronicsweekly.com
