GaN FET забезпечує низький RDS (on ) і швидке перемикання разом із низьким Vf і низьким Qrr, каже Farnell, компанія Avnet. Вони також міцні та забезпечують стабільне перемикання з міцною стійкістю до відскоків, що робить їх придатними для додатків зі зниженою втратою електроенергії в електромобілях (EV), обладнанні 5G та пристроях IoT.
Дистриб'ютор каже, що впровадження діапазон є своєчасним, оскільки польові транзистори забезпечують щільність і ефективне енергоспоживання в малому форм-факторі, а також допомагають інженерам відповідати законодавству та зростаючій потребі зменшити викиди CO2, оскільки галузь переходить до ефективного перетворення електроенергії та посилення електрифікації.
Технологія GaN долає обмеження технологій, таких як IGBT на основі кремнію та SiC, у перетворенні електроенергії, каже Farnell. Особливо в електромобілях GaN зменшує втрати потужності, які можуть вплинути на запас ходу автомобіля. Підвищення ефективності перетворення електроенергії також зменшує потребу в системах охолодження для розсіювання виробленого тепла, зменшуючи вагу автомобіля та складність системи, покращуючи запас ходу або забезпечуючи такий самий запас ходу від меншого акумулятора. Farnell також зазначає, що існують додатки для потужних GaN польових транзисторів у центрах обробки даних, телекомунікаційній інфраструктурі та промислових додатках.
16 вересня 2020 року о 14:00 за київським стандартним часом компанія Farnell проводить конференцію з технології Power GaN. На вебінарі буде представлено огляд технології каскодного кодування Nexperia, переваги топологій жорсткої та м’якої комутації та включатиме практичне дослідження PFC на тотемному стовпі 4 кВт.
Источник: electronicsweekly.com
